眾所周知，美國打壓中國芯片產(chǎn)業(yè)，是有明確目標的。
一是鎖死邏輯芯片在14nm，二是鎖死NAND閃存在128層，三是鎖死DRAM內(nèi)存在18nm，不允許中國的技術(shù)進入美國的封鎖層之下。
為此，美國更是聯(lián)合日本、荷蘭等，對先進的半導體設(shè)備進行封鎖，任何可以制造封鎖層下面的設(shè)備，都禁運……
不過，從現(xiàn)在的情況來看，美國設(shè)的這個封鎖，全部被中國突破了。
先說邏輯芯片方面，美國是想要鎖死在14nm工藝，但實際上呢，早就突破了。
具體的東西不太好細說，畢竟中芯國際下線了關(guān)于14nm FinFET技術(shù)的介紹，但大家想一想麒麟900S、麒麟9010、麒麟9020這三顆芯片，就明白我們絕不可能是14nm，具體是多少，大家應(yīng)該心中有數(shù)吧，肯定是低于14nm的……
再看NAND閃存芯片，也就是大家熟悉的，用于SSD硬盤產(chǎn)品的芯片，美國的目標是鎖死我們在128層，不再前進。
長存早在2022年就量產(chǎn)了232層的NAND芯片，并且是全球第一家量產(chǎn)232層NAND芯片的廠商，后來美國打壓長存。
但據(jù)媒體的消息，目前長存使用國產(chǎn)應(yīng)鏈，也實現(xiàn)了160層的NAND閃存產(chǎn)品，并且從存儲密度來看，達到了12.66 Gb/mm2，不輸三星、美光等國際大廠。
再看DRAM內(nèi)存方面，美國的目標鎖死在18nm工藝，不能再前進。
事實上18nm工藝，也就是DDR4的水平，不準再進入DDR5，因為進入DDR5的話，就要突破18nm工藝了。
而近日，韓國媒體ZDNet Korea報道稱，中國DRAM芯片大廠長存（CXMT）已經(jīng)量產(chǎn)了DDR5內(nèi)存芯片。
而TechInsights 的 Jeongdong Choi 博士說則稱，這款DDR5 的開發(fā)是使用 G3 工藝（線寬 17.5 nm）進行的，明顯也是突破了18nm了。
可見，越是打壓，中國芯片產(chǎn)業(yè)進步越快，美國想要封鎖的三個方向，被我們都突破了。
而按照網(wǎng)友們的說法，一旦中國掌握的技術(shù)，那么將迅速變成白菜價，所以接下來不知道那些國際大廠，準備好迎接中國廠商的沖擊了么？