中子探測(cè)器關(guān)鍵技術(shù)和器件在東莞實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化
記者從中國(guó)科學(xué)院高能物理研究所東莞研究部獲悉，近日，中國(guó)散裂中子源探測(cè)器團(tuán)隊(duì)成功制備出高性能大面積碳化硼薄膜，實(shí)現(xiàn)了中子探測(cè)器關(guān)鍵技術(shù)和器件的國(guó)產(chǎn)化。
據(jù)了解，此次制備出的碳化硼薄膜樣品單片面積達(dá)到1500毫米×500毫米，薄膜厚度1微米，全尺寸范圍內(nèi)厚度均勻性優(yōu)于±1.32%，是目前國(guó)際上用于中子探測(cè)的最大面積的碳化硼薄膜。該樣品由我國(guó)自主研制的磁控濺射大面積鍍硼專用裝置制備。
基于硼轉(zhuǎn)換的中子探測(cè)器因其優(yōu)異的性能已成為當(dāng)前國(guó)際上研究的熱點(diǎn)，隨著中國(guó)散裂中子源二期工程即將啟動(dòng)，擬建的中子譜儀對(duì)大面積、高效率、位置靈敏的新型中子探測(cè)器需求緊迫。制備出高性能中子轉(zhuǎn)換碳化硼薄膜是其中最核心的技術(shù)，目前只有美國(guó)和歐洲少數(shù)幾個(gè)發(fā)達(dá)國(guó)家掌握了該項(xiàng)技術(shù)。
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