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聚焦第三代半導體,東莞三年目標營收1000億元

近日,東莞發(fā)布了《東莞市發(fā)展半導體及集成電路戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)集群行動計劃(2022-2025年)》(以下簡稱《行動計劃》)。聚焦半導體和集成電路產(chǎn)業(yè),加快打造新動能,推動東莞科創(chuàng)制造強市建設?!缎袆佑媱潯诽岢?,到2025年,實現(xiàn)東莞市集成電路產(chǎn)業(yè)營業(yè)收入超800億元,力爭達到1000億元,建成華南地區(qū)第三代半導體材料及應用創(chuàng)新重要基地,在封裝測試、芯片設計和第三代半導體等細分領域實現(xiàn)國產(chǎn)化替代等具體目標。

建成華南地區(qū)第三代半導體材料及應用創(chuàng)新重要基地

近年來,東莞在集成電路研發(fā)設計、封裝測試和第三代半導體等領域集聚了一批企業(yè),形成了一定的產(chǎn)業(yè)規(guī)模。

目前全市擁有涉及半導體及集成電路研發(fā)、生產(chǎn)與銷售的企業(yè)257家,大多集中在封裝測試和研發(fā)設計環(huán)節(jié),2021年實現(xiàn)主營業(yè)務收入約256億元,其中營收10億元以上企業(yè)5家,1億元以上企業(yè)25家,上市企業(yè)4家。

從產(chǎn)業(yè)鏈分布來看,東莞初步形成以“集成電路設計、集成電路封裝測試”為核心,集成電路設備、原材料及應用產(chǎn)業(yè)為支撐的產(chǎn)業(yè)鏈。

面向未來,《行動計劃》提出,東莞半導體和集成電路產(chǎn)業(yè)規(guī)模要實現(xiàn)穩(wěn)步擴張,核心競爭優(yōu)勢凸顯,創(chuàng)新能力顯著提升,產(chǎn)業(yè)生態(tài)體系優(yōu)化。

具體而言,到2025年,東莞市集成電路產(chǎn)業(yè)營業(yè)收入超800億元,力爭達到1000億元,年均增速超過25%。形成1家以上營業(yè)收入超100億元和一批營業(yè)收入超10億元的半導體及集成電路企業(yè)。東莞市建成華南地區(qū)第三代半導體材料及應用創(chuàng)新重要基地,基本形成完整產(chǎn)業(yè)鏈,具有全國競爭力。封裝測試業(yè)發(fā)展迅速,成為華南地區(qū)高端封裝測試重要基地,對華南地區(qū)集成電路產(chǎn)業(yè)支撐能力不斷提升。

在創(chuàng)新研發(fā)上,到2025年,企業(yè)創(chuàng)新研發(fā)投入占銷售收入比重超過5%,自主研發(fā)和引進消化吸收一批關鍵核心技術,在封裝測試、芯片設計和第三代半導體等細分領域實現(xiàn)國產(chǎn)化替代;組建一批高水準的企業(yè)研發(fā)中心,第三代半導體和集成電路技術創(chuàng)新平臺、產(chǎn)學研合作平臺等達到3個以上;加快集聚創(chuàng)新人才,擁有一流的科學研究人才、團隊,引進和培養(yǎng)第三代半導體和集成電路領軍人才30人以上、領軍團隊10個以上。

到2025年,東莞將基本建成配套設施齊全、服務功能完善、規(guī)模效應明顯、上下游緊密配合的集成電路產(chǎn)業(yè)集聚區(qū)。

目標的提出并非好高騖遠?!缎袆佑媱潯分赋觯瑬|莞發(fā)展半導體集成電路產(chǎn)業(yè)優(yōu)勢明顯。一是東莞電子信息制造業(yè)主導特色突出,具備世界上最完整的電子信息產(chǎn)業(yè)鏈,芯片消費市場龐大。二是東莞正在材料科學領域謀劃打造的世界級大裝置集群,為半導體集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供原始創(chuàng)新能力。三是東莞成功創(chuàng)建了廣東省第三代半導體技術創(chuàng)新中心東莞基地,擁有中圖、中鎵、天域等一批第三代半導體襯底材料企業(yè),有較強競爭力。四是東莞是國內臺商臺資重要聚集地,擁有臺資集成電路企業(yè)20多家,與臺灣集成電路產(chǎn)業(yè)有較好的合作基礎;同時,東莞毗鄰廣深港,區(qū)位優(yōu)勢明顯,可與廣州、深圳、香港形成互利共生、資源共享的協(xié)同發(fā)展態(tài)勢。

五大任務,構筑“集成電路創(chuàng)新帶”

針對東莞在半導體及集成電路產(chǎn)業(yè)的不足以及可以利用的優(yōu)勢,《行動計劃》提出通過部署推動產(chǎn)業(yè)集聚發(fā)展、突破產(chǎn)業(yè)關鍵核心技術、完善健全公共服務體系、完善產(chǎn)業(yè)發(fā)展生態(tài)、構建高水平產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新體系等五個方面重點任務,以實現(xiàn)本計劃的工作目標。

推動產(chǎn)業(yè)集聚發(fā)展。《行動計劃》指出,推動濱海灣新區(qū)建設集成電路設計園,松山湖高新區(qū)建設寬禁帶半導體材料集聚區(qū)和半導體特色產(chǎn)業(yè)園,臨深片區(qū)建設半導體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新基地,構筑以濱海灣新區(qū)為起點,連接松山湖高新區(qū)、東部工業(yè)園、臨深片區(qū)的“集成電路創(chuàng)新帶”,形成聯(lián)動發(fā)展格局。

突破產(chǎn)業(yè)關鍵核心技術。用好以散裂中子源、先進阿秒激光等為代表的世界級大裝置集群,匯集本地高校及科研院所科研資源,針對集成電路產(chǎn)業(yè)關鍵技術環(huán)節(jié)和重大需求,組織實施重點領域研發(fā)計劃,支持龍頭企業(yè)牽頭組建創(chuàng)新聯(lián)合體開展關鍵核心技術攻關,推動第三代半導體、封裝測試材料與技術、集成電路與器件測試技術、5G芯片、光通信芯片、鋰電保護芯片、電源芯片等研究和產(chǎn)業(yè)轉化。

完善健全公共服務體系。高質量推動東莞集成電路創(chuàng)新中心、松山湖半導體與集成電路產(chǎn)教融合創(chuàng)新平臺(實訓平臺)等公共平臺建設。建設1-2個集融資對接、人才招聘、技術(知識產(chǎn)權)服務、項目孵化、對外交流等服務功能的綜合性集成電路公共服務中心。

完善產(chǎn)業(yè)發(fā)展生態(tài)。以市場應用為抓手,發(fā)揮華為、OPPO、vivo等下游龍頭企業(yè)的牽引作用,搭建整機(終端)企業(yè)與芯片設計、封測企業(yè)合作平臺,推動合作雙方在核心技術攻關、數(shù)據(jù)共享、產(chǎn)品優(yōu)先應用等方面協(xié)同合作,構筑整機帶動芯片技術進步、芯片支撐整機競爭力提升的生態(tài)反饋閉環(huán)。

構建高水平產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新體系。加快國家第三代半導體技術創(chuàng)新中心(東莞分中心)、東莞市微電子研究院、東莞理工學院-OPPO微電子聯(lián)合創(chuàng)新中心等創(chuàng)新平臺建設,支撐第三代半導體材料、芯片/器件、功率模塊和應用技術的研發(fā)和創(chuàng)新。

將出臺推動半導體及集成電路產(chǎn)業(yè)高質量發(fā)展的政策措施

針對產(chǎn)業(yè)鏈的各個環(huán)節(jié),《行動計劃》還具體規(guī)劃了六項重點工程,包括第三代半導體突破工程、先進封裝測試領航工程、材料及關鍵電子元器件補鏈工程、芯片設計強鏈工程、特種裝備及零部件配套工程和人才引進培育工程。

其中,人才引進培育工程提到,將支持東莞理工學院按照高起點、高標準和國際化定位建設國際微電子學院,打造“1(國際微電子學院)+1(東莞市微電子研究院)+N(與N家企業(yè)共建聯(lián)合創(chuàng)新中心)”產(chǎn)學研合作新模式,加快推動東莞理工學院-OPPO微電子聯(lián)合創(chuàng)新中心和東莞理工學院-安世半導體微電子聯(lián)合創(chuàng)新中心等合作平臺建設,建立學生聯(lián)合培養(yǎng)和深度產(chǎn)教融合機制,加快構建半導體與集成電路領域卓越工程師培養(yǎng)體系,按產(chǎn)業(yè)需求培養(yǎng)高水平的應用型人才。推動大灣區(qū)大學建立光電學院并設立微電子等相關學科,提升集成電路基礎研究能力和人才培養(yǎng)能力。

記者了解到,東莞將制訂市級推動半導體及集成電路產(chǎn)業(yè)高質量發(fā)展的政策措施,加大政策保障。加大市戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)專項資金、市財政“科技東莞”工程專項資金向集成電路產(chǎn)業(yè)傾斜力度,將集成電路領域重點企業(yè)和項目列為優(yōu)先扶持對象。

對經(jīng)市政府確定的集成電路重點項目,列入市重大產(chǎn)業(yè)項目實行專項資源保障,優(yōu)先保障項目生產(chǎn)用地和能耗指標,對于廢水排放、VOCs排放指標等給予傾斜。